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还在为寻找一颗能平衡性能、效率与尺寸的功率开关而烦恼吗？DMT6016LPS-13正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有60V耐压和10.6A的强劲电流输出能力，其核心魅力在于超低的16毫欧导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它采用先进的PowerDI5060-8封装，在节省宝贵电路板空间的同时，提供了出色的散热性能。搭配快速的开关特性（栅极电荷仅17nC），它能轻松应对高频开关需求，全面提升系统响应速度与能效。选择它，就是为您的设计注入一股强劲而高效的动力。

• 型号:DMT6016LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 10.6A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:864 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.23W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMT6016LPS-13，Diodes产品一站式供应商。