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还在寻找那颗能平衡性能与尺寸的“核心开关”吗？DMT6016LPSW-13 N沟道MOSFET就是您的理想答案。它专为高效功率控制而设计，其16.5毫欧的超低导通电阻能大幅减少能量损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它就像一个反应迅捷、损耗极低的电子阀门。在同步整流电路中，它能最大化电能回收效率；在DC-DC转换器中，助力您实现更高的功率密度；在电机驱动里，则确保强劲而平稳的动力输出。其坚固的60V耐压和宽温工作范围，让您能轻松应对各种工业与消费类应用的挑战。

• 型号:DMT6016LPSW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.2A（Ta），43A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:864 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.84W（Ta），41.67W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMT6016LPSW-13，Diodes产品一站式供应商。