我们为全球各个行业提供Diodes DMT6016LSS-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您是否正在寻找一颗能轻松驾驭中功率开关任务，同时保持高效冷静的MOSFET？DMT6016LSS-13正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有60V的耐压和9.2A的持续电流能力，配合低至18毫欧的导通电阻，能显著降低您电路中的导通损耗，提升整体能效，让热量管理变得更简单。

它采用先进的MOSFET技术，具备快速的开关特性（栅极电荷仅17nC），让您在涉及高频开关的电源转换或电机控制应用中，能够实现更精准、更高效的控制。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了在恶劣环境下依然稳定可靠。选择DMT6016LSS-13，就是选择让您的设计更强大、更可靠、更省心。

• 型号:DMT6016LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:864 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMT6016LSS-13，Diodes产品一站式供应商。