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还在为复杂的功率电路设计和空间局限而烦恼吗？DMT6017LDV-13双N沟道MOSFET阵列，就是您期待的集成化高效解决方案。它将两个高性能的MOSFET集成在一个紧凑的PowerDI3333封装内，让您轻松实现更简洁的PCB布局和更高的功率密度。

这颗芯片能为您做什么？它凭借高达100V的耐压和25.3A的连续电流能力，为您的大电流开关应用提供强劲动力。其关键优势在于极低的导通电阻（仅22毫欧@6A,10V），能显著降低功率损耗，提升整体系统效率，并有效缓解散热压力。无论是用于同步整流、电机驱动还是负载开关，它都能让您的设计运行得更凉爽、更高效、更可靠。

• 型号:DMT6017LDV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UXC 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 25.3A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25.3A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• 功率 - 最大值:-
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UXC 类）
• DMT6017LDV-13，Diodes产品一站式供应商。