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还在为复杂的双MOSFET布局和散热设计头疼吗？让DMT6017LDV-7为您化繁为简！这颗集成了两个高性能N沟道MOSFET的芯片，能轻松担当起您系统中高效开关和功率控制的核心角色。

凭借仅22毫欧的超低导通电阻和高达25.3A的电流处理能力，它能让您的电机驱动更强劲、DC-DC转换更高效，同时显著降低功率损耗和发热。其紧凑的8-PowerVDFN封装为您节省大量电路板空间，而宽广的工作温度范围则确保了在各种严苛环境下的稳定运行。选择它，就是选择了一条通往更简洁、更可靠、更高性能设计的捷径。

• 型号:DMT6017LDV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UXC 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 25.3 PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25.3（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• 功率 - 最大值:-
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UXC 类）
• DMT6017LDV-7，Diodes产品一站式供应商。