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您是否正在为寻找一颗能平衡性能、尺寸与可靠性的功率开关而烦恼？DMT6017LFDF-13正是为您而来的解决方案。这颗由Diodes Incorporated打造的N沟道MOSFET，拥有65V耐压和8.1A持续电流能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（典型值18mΩ），能显著降低开关损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它采用超紧凑的U-DFN2020-6表面贴装封装，为您节省宝贵的PCB空间，轻松实现高密度设计。同时，优异的栅极特性让驱动电路设计更为简单。无论是提升现有产品的能效，还是为创新设备注入强大动力，选择DMT6017LFDF-13，就是选择了一份让设计更省心、让产品更具竞争力的可靠保障。

• 型号:DMT6017LFDF-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 65V 8.1A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:65 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:891 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:800mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• DMT6017LFDF-13，Diodes产品一站式供应商。