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还在寻找那颗能让您的电源设计既高效又紧凑的核心开关器件吗？DMT6017LFDF-7就是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有65V的耐压和8.1A的连续电流能力，其核心魅力在于惊人的低导通电阻（仅18毫欧@10V），能大幅降低导通损耗，直接提升您的系统整体效率，让电能利用更充分。

它专为追求性能的设计师而生。低至4.5V的驱动电压让您轻松搭配各类控制器，而优化的栅极电荷与电容特性确保了极快的开关速度，显著减少开关损耗，尤其适合高频DC-DC转换、电机驱动等应用。采用节省空间的U-DFN封装，它让您在实现高性能的同时，轻松应对紧凑的板卡布局挑战。

• 型号:DMT6017LFDF-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 65V 8.1A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:65 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:891 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:800mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• DMT6017LFDF-7，Diodes产品一站式供应商。