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还在为电源效率瓶颈而困扰吗？DMT6017LSS-13正是您期待的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有60V/9.2A的强劲规格，其核心价值在于极低的导通电阻，能显著减少功率损耗，直接提升您的DC-DC转换器、电机驱动或负载开关的整体能效。

它让您的设计工作变得异常轻松。优化的开关特性支持更高频率运行，有助于缩小外围元件尺寸；宽广的-55°C至150°C工作结温确保其在各种严苛环境下稳定可靠。采用紧凑的8-SO封装，非常适合空间受限的现代电子设备。选择DMT6017LSS-13，就是选择以一颗高效、可靠的芯片，轻松实现更节能、更紧凑、性能更出众的产品设计。

• 型号:DMT6017LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:864 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMT6017LSS-13，Diodes产品一站式供应商。