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还在寻找那颗能兼顾高性能与高可靠性的“核心开关”吗？DMT615MLFV-13 N沟道MOSFET正是为您而来的解决方案。它拥有60V的漏源电压和高达38A的电流处理能力，让您轻松驾驭各类中功率电源转换与电机驱动任务。

这颗芯片能为您做什么？它凭借低至16毫欧的导通电阻，大幅降低导通损耗，直接提升系统能效，让您的设备更省电、发热更少。同时，其优化的栅极特性确保开关迅速且干净，助力您设计出响应更快、电磁干扰更小的产品。采用紧凑的PowerDI3333-8表面贴装封装，为您节省宝贵的电路板空间，实现更高效、更紧凑的布局设计。

• 型号:DMT615MLFV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A（Ta），38A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1039 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.76W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT615MLFV-13，Diodes产品一站式供应商。