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还在为功率转换效率瓶颈而烦恼吗？让DMT64M2LPSW-13来为您破局！这颗强大的N沟道MOSFET，拥有60V的耐压和高达100A（Tc）的电流承载能力，核心使命就是让您的电源设计更高效、更紧凑。它极低的导通电阻能大幅减少导通损耗，而优化的开关特性则能有效降低开关损耗，双管齐下，显著提升系统整体能效。

它专为应对高电流、高频率的开关应用而优化。无论是进行同步整流，还是驱动电机，DMT64M2LPSW-13都能让您轻松实现快速、干净的开关动作，确保功率路径畅通无阻。其坚固的设计和宽广的工作温度范围，更能为您的产品提供从工业到消费电子等多场景的可靠保障，是您打造高性能、高竞争力电源系统的理想选择。

• 型号:DMT64M2LPSW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:Accelerometer，3 Axis，Impact
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 20.7A/100A PWRDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20.7A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.4 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2799 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），83.3W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:Accelerometer，3 Axis，Impact
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMT64M2LPSW-13，Diodes产品一站式供应商。