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您正在寻找一颗能扛起高电流开关重任，同时保持极致高效与可靠性的车规级MOSFET吗？DMT67M8LCGQ-13正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有60V耐压和高达64.6A（Tc）的电流处理能力，其核心价值在于将卓越的性能封装于微小的尺寸内。

它能让您的电源转换或电机驱动系统运行得更“轻松”。得益于低至5.7毫欧的导通电阻，它能大幅降低导通损耗，提升整体能效，让设备更凉爽、更耐用。同时，其快速的开关特性（低栅极电荷）有助于提升系统响应速度，优化动态性能。

无论是用于汽车动力系统、工业电源还是通信设备，这颗通过AEC-Q101认证的芯片都能为您提供坚实的保障，让您的设计在高效与可靠之间找到完美平衡，轻松应对各种严苛挑战。

• 型号:DMT67M8LCGQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:V-DFN3333-8（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 16A/64.6A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Ta），64.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2130 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:V-DFN3333-8（B 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT67M8LCGQ-13，Diodes产品一站式供应商。