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还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的车规级MOSFET吗？DMT67M8LCGQ-7就是您的理想答案。这颗N沟道MOSFET拥有60V耐压和高达64.6A的电流承载能力，专为汽车电子中的严苛应用而设计。

它的核心价值在于极致的效率。仅5.7毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。同时，其优化的栅极电荷特性有助于提升开关速度，减少驱动损耗。结合紧凑的8DFN封装和宽广的-55°C至150°C工作温度范围，它能让您轻松应对空间限制与复杂环境，为车载充电、DC-DC转换等应用注入强劲而可靠的动力。

• 型号:DMT67M8LCGQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:V-DFN3333-8（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 16A/64.6A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Ta），64.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2130 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:V-DFN3333-8（B 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT67M8LCGQ-7，Diodes产品一站式供应商。