我们为全球各个行业提供Diodes DMT68M8LFV-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为寻找一颗能兼顾高效率、高可靠性与紧凑尺寸的功率开关管而烦恼吗？DMT68M8LFV-13正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有60V/54.1A的强悍规格，其核心价值在于让您的电源设计轻松实现更低的导通损耗和更高的功率密度。

它通过极低的Rds(on)（仅9.5毫欧）显著减少发热，提升系统能效；优化的开关特性（Qg仅30nC）让您能够设计出频率更高、响应更快的电路。无论是用于DC-DC转换、电机控制还是负载开关，它都能让您的产品运行更稳定、更高效，助您在激烈的市场竞争中赢得先机。

• 型号:DMT68M8LFV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 54.1A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):54.1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2078 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Ta），41.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT68M8LFV-13，Diodes产品一站式供应商。