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您正在设计需要处理数十安培电流的电源或电机控制方案吗？DMT68M8LFV-7正是为您而来的高性能N沟道MOSFET。它能轻松担当系统主功率开关的角色，以极低的导通电阻（仅9.5毫欧）大幅减少导通损耗，让您的设备效率显著提升，运行温度更低。

这颗芯片能在高达60V的电压下稳定工作，持续通过54.1A的强大电流，并兼容标准的4.5V-10V驱动电压，让您的驱动电路设计更简单。其坚固的PowerDI3333-8封装和宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），确保它在各种严苛应用中都能保持高效可靠的性能，是您打造耐用、高效电力系统的理想选择。

• 型号:DMT68M8LFV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 54.1A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):54.1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2078 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Ta），41.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT68M8LFV-7，Diodes产品一站式供应商。