我们为全球各个行业提供Diodes DMT68M8LSS-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找那颗能扛起大电流、低损耗重任的“核心开关”吗？DMT68M8LSS-13 N沟道MOSFET正是为您而来。它凭借60V的漏源电压和28.9A的强大电流处理能力，让您在设计高功率密度电源、电机驱动或负载开关时信心倍增。

这颗芯片能为您做什么？它用低至8.5毫欧的导通电阻，大幅削减导通损耗，让系统运行更凉爽、效率更高。其优化的栅极特性让驱动设计变得轻松，助您实现更快的开关频率和更简洁的电路布局。选择它，就是选择了一条通往更高性能、更可靠设计的捷径。

• 型号:DMT68M8LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 28.9A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28.9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2107 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.9W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMT68M8LSS-13，Diodes产品一站式供应商。