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还在寻找那颗能同时征服高电流与低损耗的“全能型”功率开关吗？DMT69M8LFV-13正是为您而来的答案。这颗60V/45A的N沟道MOSFET，凭借其极低的9.5毫欧导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源模块或电机驱动方案运行得更凉快、更高效。

它专为汽车级（AEC-Q101）和高可靠性应用而优化，从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，让您无惧任何环境挑战。其优化的开关特性（低栅极电荷Qg）更能帮助您轻松提升系统频率，实现更小的外围元件和更紧凑的设计。选择DMT69M8LFV-13，就是选择让您的产品在性能、能效和可靠性上全面领先。

• 型号:DMT69M8LFV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1925 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:42W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT69M8LFV-13，Diodes产品一站式供应商。