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还在为功率转换效率的瓶颈而烦恼吗？DMT69M8LFV-7 N沟道MOSFET就是您的高效动力核心。它能让您轻松驾驭高达45A的连续电流与60V的电压，凭借低至9.5毫欧的导通电阻，显著降低导通损耗，直接将更多电能转化为有效输出，而非无谓的热量。

这颗芯片专为要求严苛的汽车与工业应用而生，通过AEC-Q101认证，确保从极寒到酷热（-55°C至150°C）的极端环境下稳定工作。其创新的PowerDI3333-8封装，在实现高达42W散热能力的同时，保持了极小的尺寸，让您的设计在追求功率密度时不再妥协。选择它，就是为您的产品选择了可靠、高效与紧凑的完美结合。

• 型号:DMT69M8LFV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1925 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:42W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT69M8LFV-7，Diodes产品一站式供应商。