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您是否正在寻找一颗能扛起汽车电子核心开关重任的“强力心脏”？DMT69M8LPS-13正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有60V耐压和10.2A的强劲电流处理能力，其超低的12毫欧导通电阻能显著降低系统功耗与发热，让您的电机驱动、电源转换或负载开关应用运行得更高效、更凉爽。

它专为严苛环境设计，通过AEC-Q101认证，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保在汽车舱内高温等挑战性条件下依然稳定可靠。优化的栅极特性让开关动作干净利落，助您轻松提升系统响应速度与整体能效。选择它，就是为您的产品选择了一份经得起考验的性能保障。

• 型号:DMT69M8LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHA 60V 10.2A POWERDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.2A（Ta），70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1925 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta），113W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMT69M8LPS-13，Diodes产品一站式供应商。