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您是否正在寻找一颗能在紧凑空间内，以极高效率掌控近10A电流的“能量开关”？DMT69M8LSS-13 N沟道MOSFET就是您的理想选择。它专为高效电源转换和电机控制而优化，其超低的导通电阻能显著减少功率损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

这颗芯片能为您轻松应对60V电压平台下的各种开关任务。其快速的开关特性和优异的栅极驱动性能，让您能够构建出响应更迅捷、效率更高的DC-DC电路或驱动模块。采用标准的表面贴装封装，它还能帮助您最大化节省PCB板空间，实现更精巧的产品设计。

• 型号:DMT69M8LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 9.8A 8SO T\\u0026R 2
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1925 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.25W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMT69M8LSS-13，Diodes产品一站式供应商。