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还在为功率器件的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？DMT8008LPS-13正是为您破局而生的利器。这颗来自Diodes Incorporated的80V/83A N沟道MOSFET，凭借其低至7.8mΩ的导通电阻，能大幅降低开关过程中的功率损耗，直接提升您的系统整体能效，让热量管理变得前所未有的轻松。

它专为高要求应用而优化。无论是服务器电源、工业电机驱动，还是新能源领域的DC-DC转换，其优异的栅极特性（Qg仅41.2nC）确保快速、干净的开关动作，让您的设计响应更迅捷，运行更稳定。采用紧凑的PowerDI5060-8封装，它在节省宝贵电路板空间的同时，提供了强大的功率处理能力和高达83W的散热效能，助您实现高功率密度设计。

选择DMT8008LPS-13，就是选择了一个高效、可靠的功率开关解决方案。它让您能够专注于系统创新，而将基础的功率转换任务交给这颗值得信赖的芯片，从而加速产品开发周期，打造出更具市场竞争力的终端产品。

• 型号:DMT8008LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 83A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):83A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.8mOhm @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.8V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2345 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMT8008LPS-13，Diodes产品一站式供应商。