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您正在寻找一颗能同时驾驭高电流与低损耗的功率开关吗？DMT8012LFG-7正是为您而生的高效引擎。这颗N沟道MOSFET拥有80V耐压和高达35A的电流处理能力，其核心魅力在于仅16毫欧的超低导通电阻，能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的电源模块或电机驱动方案运行得更凉爽、更持久。

它采用先进的PowerDI3333-8封装，兼顾了功率密度与散热需求，非常适合空间受限的现代电子设备。无论是用于同步整流提升转换效率，还是作为高频开关控制负载，其优化的动态参数（如低栅极电荷）都能让您轻松实现快速、干净的开关动作，从而提升整体系统响应速度和能效。选择DMT8012LFG-7，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的心脏。

• 型号:DMT8012LFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.5A（Ta），35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1949 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta），30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT8012LFG-7，Diodes产品一站式供应商。