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还在为功率器件的效率与尺寸烦恼吗？DMT8012LPS-13正是为您而来的高效N沟道MOSFET。它拥有80V的漏源电压和高达65A（Tc）的连续漏极电流处理能力，让您在设计高功率电源、电机驱动或负载开关电路时，拥有充沛的功率余量和极高的可靠性。

这颗芯片的核心魅力在于其极低的功率损耗。其导通电阻（Rds(On)）最大值仅为17毫欧@12A，10V，这意味着电流通过时产生的热量大幅减少，从而让您的系统运行更凉爽、能效更高。同时，其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，有助于实现更快的开关速度和更低的驱动损耗，进一步提升整体效率。

此外，DMT8012LPS-13采用紧凑的PowerDI5060-8表面贴装封装，在节省宝贵PCB空间的同时，凭借出色的热性能（最大功率耗散113W @ Tc），轻松应对高功率密度设计的散热挑战。选择它，就是为您的产品选择了强劲的心脏与高效的散热系统。

• 型号:DMT8012LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 9A/65A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Ta），65A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1949 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），113W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMT8012LPS-13，Diodes产品一站式供应商。