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还在为功率开关的损耗和温升烦恼吗？DMTH10H005LCT正是为您而来的高效解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有惊人的140A连续电流处理能力和低至5毫欧的导通电阻，能显著降低您系统中的传导损耗，提升整体能效，让热量管理变得更轻松。

它专为严苛环境打造，符合汽车级AEC-Q101标准，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保在汽车电子、工业驱动等高要求应用中稳定可靠。无论是用于电机控制、电源转换还是负载开关，它都能让您的设计更高效、更紧凑，性能表现始终如一。

• 型号:DMTH10H005LCT
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220AB
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):140A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:114 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3688 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:187W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220AB
• 封装/外壳:TO-220-3
• DMTH10H005LCT，Diodes产品一站式供应商。