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还在寻找那颗能扛起大电流、压得住损耗的“核心开关”吗？DMTH10H005SCT正是为您的高要求应用而生。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有100V耐压和140A的强大电流处理能力，其最亮眼之处在于低至5毫欧的导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉快、更高效。

它能让您轻松驾驭从工业电源、电机驱动到新能源设备等多种场景。得益于优化的栅极电荷和快速的开关特性，它能实现高效的能量转换，同时，TO-220AB封装和187W的耗散功率确保了出色的散热性能。选择DMTH10H005SCT，就是为您的产品注入一颗强劲、可靠且高效的心脏，轻松应对功率挑战。

• 型号:DMTH10H005SCT
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220AB
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):140A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:111.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8474 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:187W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220AB
• 封装/外壳:TO-220-3
• DMTH10H005SCT，Diodes产品一站式供应商。