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还在寻找那颗能兼顾高性能与高可靠性的功率开关吗？DMTH10H009LPS-13正是为您量身打造的解决方案。它是一款100V N沟道MOSFET，拥有低至8毫欧的导通电阻，能让您轻松驾驭高达100A的连续电流，显著降低导通损耗，提升整体能效。

这颗芯片采用先进的PowerDI5060封装，散热能力出众，确保在大功率应用中依然保持低温稳定运行。其优化的开关特性，让您的系统设计更高效，响应更迅速。无论是用于电源转换、电机驱动还是负载开关，它都能让您的产品性能脱颖而出，可靠性倍增。

• 型号:DMTH10H009LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2309 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta），125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMTH10H009LPS-13，Diodes产品一站式供应商。