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您正在寻找一颗能同时兼顾高功率、低损耗和出色可靠性的MOSFET吗？DMTH10H009SPS-13正是为您而生的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有100V的耐压和高达88A（Tc）的电流处理能力，其核心魅力在于超低的8.9毫欧导通电阻，能显著降低开关过程中的导通损耗，直接为您带来更高的系统效率和更低的温升。

它能让您轻松应对高功率密度设计的挑战。优异的栅极特性（Qg仅30nC）确保了快速、干净的开关动作，非常适合高频DC-DC转换、电机驱动和各类电源拓扑。采用先进的PowerDI5060-8封装，不仅散热性能卓越，而且节省宝贵的PCB空间。选择它，意味着您选择了一个高效、可靠且易于设计的功率开关核心，让您的产品在性能和可靠性上脱颖而出。

• 型号:DMTH10H009SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Ta），88A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.9 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2085 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta），100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMTH10H009SPS-13，Diodes产品一站式供应商。