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您正在寻找一颗能扛起大电流、压降低、开关快的“硬核”功率开关吗？DMTH10H010LCT正是为您而来！这颗N沟道MOSFET拥有100V耐压和108A的强大电流处理能力，核心优势在于其极低的导通电阻（仅9.5毫欧@10V），能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更高效、更凉爽。

它具备优异的开关特性，栅极电荷和输入电容经过优化，助力您轻松实现高频高效的能量转换。无论是提升现有产品的能效，还是开发新一代高密度电源，DMTH10H010LCT都能让您轻松应对挑战，是工程师实现高性能、高可靠性设计的得力伙伴。

• 型号:DMTH10H010LCT
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):108A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2592 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.4W（Ta），166W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220-3
• 封装/外壳:TO-220-3
• DMTH10H010LCT，Diodes产品一站式供应商。