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还在为寻找一颗能同时满足高效率、高可靠性和简化设计需求的功率开关而烦恼吗？DMTH10H010LCTB-13正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有100V耐压和108A的强大电流处理能力，其核心魅力在于低至9.5毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效，直接帮助您提升终端产品的能效表现。

它不仅仅参数亮眼，更具备车规级AEC-Q101认证的坚实内核。这意味着它能够轻松应对-55°C到175°C的严酷温度挑战，确保在汽车电子、工业控制等要求极高的应用中稳定工作，极大延长产品寿命。其优化的动态特性（如栅极电荷）让开关速度更快、损耗更低，从而让您能够设计出更紧凑、更可靠的电路，简化散热设计，最终加快您的产品上市速度。

• 型号:DMTH10H010LCTB-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-263
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):108A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2592 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.4W（Ta），166W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• DMTH10H010LCTB-13，Diodes产品一站式供应商。