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您正在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性和易驱动性的功率MOSFET吗？DMTH10H010LPS-13正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有100V的耐压和出色的电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅8.6毫欧），能显著减少功率损耗，让您的电源转换、电机驱动或负载开关应用运行得更凉爽、更高效。

它采用先进的PowerDI5060封装，在节省宝贵电路板空间的同时，提供了卓越的散热性能。更值得一提的是，它符合AEC-Q101车规标准，工作温度横跨-55°C至175°C，确保即使在汽车引擎舱等极端环境中也能稳定工作，让您的设计无惧挑战。优化的栅极特性让驱动电路设计变得轻松，帮助您快速实现高性能系统。

• 型号:DMTH10H010LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.8A（Ta），98.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.6 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2592 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.5W，125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMTH10H010LPS-13，Diodes产品一站式供应商。