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您正在寻找一颗能扛起高功率、高频率开关重任，同时保持冷静与高效的“核心引擎”吗？DMTH10H010SPS-13正是为此而生。这颗采用先进PowerDI5060封装的N沟道MOSFET，拥有100V的耐压和极低的导通电阻，能显著减少开关和传导损耗，让您的电源或电机驱动系统效率飙升，运行更凉爽。

它专为严苛环境设计，符合汽车级AEC-Q101标准，工作结温高达175°C，确保在汽车电子、工业控制等应用中稳定如一。更低的栅极电荷让开关速度更快，驱动更轻松，助您轻松实现高功率密度设计。选择它，就是为您的产品注入了可靠与高效的双重基因。

• 型号:DMTH10H010SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.8A（Ta），123A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.8 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4468 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMTH10H010SPS-13，Diodes产品一站式供应商。