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还在为功率器件的效率瓶颈和散热难题寻找解决方案吗？DMTH10H015LPS-13正是您期待的答案。这颗100V N沟道MOSFET拥有低至16毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，直接提升您的电源或电机驱动系统的整体效率，让热量更少，性能更持久。

它专为高要求应用设计，提供高达44A（Tc）的电流承载能力和宽广的-55°C至175°C工作结温范围，结合AEC-Q101车规认证，确保在汽车、工业等恶劣环境中依然稳定可靠。其优化的开关特性（低Qg和Ciss）让您轻松实现快速、干净的开关切换，有效减少开关损耗和噪声干扰。

采用紧凑的PowerDI5060-8表面贴装封装，它在节省宝贵电路板空间的同时，提供了出色的散热性能。选择DMTH10H015LPS-13，就是为您的产品注入一颗高效、强劲且值得信赖的“心脏”。

• 型号:DMTH10H015LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.3A（Ta），44A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1871 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta），46W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMTH10H015LPS-13，Diodes产品一站式供应商。