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您正在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性和紧凑尺寸的功率开关解决方案吗？DMTH10H015SPSQ-13正是为此而生。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有100V的耐压和低至14.5毫欧的导通电阻，能显著降低开关和传导损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉快、更节能。

它采用先进的PowerDI5060-8封装，在极小占板面积内实现了高达55W的散热能力，助您轻松实现高功率密度设计。同时，其符合AEC-Q101标准，并支持-55°C至175°C的严苛工作温度，无论是面对车载环境的振动高温，还是工业领域的连续作业，都能确保稳定如一的高性能输出，让您的产品竞争力倍增。

• 型号:DMTH10H015SPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.4A（Ta），50.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2343 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta），55W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMTH10H015SPSQ-13，Diodes产品一站式供应商。