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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？DMTH10H025LK3-13正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有100V耐压和51.7A的强大电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻（仅22mΩ），能显著减少功率损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高，直接帮助您提升产品性能并降低运营成本。

它专为汽车级（AEC-Q101）和高可靠性应用设计，工作温度范围宽达-55°C至175°C，确保在极端环境下依然稳定如一。优化的开关特性（低栅极电荷）让您轻松实现高频高效开关，而TO-252封装则提供了出色的散热性和便捷的贴装工艺。选择它，就是为您的电机驱动、电源转换或负载开关应用注入一颗强劲、可靠的心脏。

• 型号:DMTH10H025LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 51.7A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):51.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1477 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMTH10H025LK3-13，Diodes产品一站式供应商。