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您正在寻找一颗能扛起大电流、应对高电压，同时还能保持冷静高效的功率开关吗？DMTH10H025LPSQ-13正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有100V耐压和高达45A的电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻（仅23毫欧），能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的电源系统运行更凉爽、能效更高。

它采用先进的PowerDI5060-8封装，散热性能出众，非常适合空间受限的高密度设计。无论是进行快速的开关切换（栅极电荷低），还是在-55°C至175°C的宽温范围内工作，它都表现出卓越的稳定性。选择它，就是为您的汽车、工业或通信电源应用选择了一个可靠、高效的动力核心，让您轻松应对各种严苛挑战。

• 型号:DMTH10H025LPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.3A（Ta），45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1477 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.2W（Ta），79W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMTH10H025LPSQ-13，Diodes产品一站式供应商。