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您正在寻找一颗能同时征服高效能与高可靠性的功率开关吗？DMTH10H025SK3-13正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有100V的耐压和46.3A的强大电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅23毫欧@10V），能显著减少功率损耗，让您的系统运行更凉爽、能效比更高。

它专为严苛环境而生，符合汽车级AEC-Q101标准，工作温度横跨-55°C至175°C，无论是汽车电子中的动力系统，还是工业应用里的电机驱动，都能轻松应对。其优化的栅极电荷（21.4nC）让开关速度更快，损耗更低，助您轻松实现高频率、高功率密度的电源设计。选择它，就是为您的产品选择了强劲的心脏与持久的耐力。

• 型号:DMTH10H025SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 46.3A TO252 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):46.3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1544 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMTH10H025SK3-13，Diodes产品一站式供应商。