我们为全球各个行业提供Diodes DMTH3002LPS-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为功率转换效率低下和系统发热问题烦恼吗？DMTH3002LPS-13正是为您的高效能源管理方案而生的利器。这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，拥有100A的强大电流处理能力和低至1.6毫欧的导通电阻，能显著降低开关和传导损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久、能效表现脱颖而出。

它采用先进的PowerDI5060-8封装，在提供卓越散热性能的同时保持紧凑尺寸，非常适合空间受限的高功率密度设计。无论是用于精准的电机控制、高效的DC-DC转换，还是作为可靠的负载开关，它都能让您轻松应对。更值得一提的是，其符合AEC-Q101标准，具备宽广的工作温度范围，确保在汽车电子或严苛工业环境中的稳定性和长寿命，为您的关键应用保驾护航。

• 型号:DMTH3002LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 100A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 毫欧 @ 25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:77 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5000 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta），136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMTH3002LPS-13，Diodes产品一站式供应商。