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还在为平衡功率、尺寸与效率而烦恼吗？DMTH3004LFG-13就是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有30V耐压和高达75A的电流承载能力，其核心魅力在于仅5.5毫欧的超低导通电阻，能大幅降低开关过程中的功率损耗，直接提升您的终端设备能效，延长电池续航。

它采用创新的PowerDI3333-8封装，在极其紧凑的空间内实现了卓越的散热性能，让您轻松设计出更轻薄、功率密度更高的产品。无论是用于快充电路、电机驱动还是电源转换，它都能提供快速、稳定的开关性能，确保系统运行高效可靠。选择它，就是为您的设计选择了一个强悍、高效且节省空间的心脏。

• 型号:DMTH3004LFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 15A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Ta），75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2370 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMTH3004LFG-13，Diodes产品一站式供应商。