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您正在寻找一颗能在紧凑空间内高效处理功率的“核心引擎”吗？DMTH3004LFGQ-13正是这样一款解决方案。它让您能够轻松驾驭高达30V电压和15A持续电流的应用，其超低的5.5毫欧导通电阻，能显著减少开关过程中的能量损耗，直接提升您整个系统的运行效率。

这颗芯片采用先进的PowerDI3333-8封装，在提供强大散热能力（最大50W耗散）的同时，节省了宝贵的电路板空间。其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）和汽车级的可靠性认证，确保您的设计即使在最严苛的环境下也能稳定运行。无论是用于电源转换、电机驱动还是负载开关，DMTH3004LFGQ-13都能以卓越的性能，让您的产品脱颖而出。

• 型号:DMTH3004LFGQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 15A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Ta），75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2370 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMTH3004LFGQ-13，Diodes产品一站式供应商。