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您正在寻找一颗能轻松驾驭高电流、同时保持极低损耗的功率开关吗？DMTH3004LPS-13正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有30V耐压和高达145A（Tc）的电流处理能力，其核心魅力在于仅3.8毫欧的超低导通电阻，能大幅减少功率损耗，直接提升您的系统效率，让电能转换更加“冷静”高效。

它采用先进的PowerDI5060-8封装，在节省宝贵电路板空间的同时，提供了卓越的散热性能。更值得一提的是，它符合汽车级AEC-Q101标准，工作温度范围覆盖-55°C至175°C，具备出色的环境适应性。选择它，意味着您为产品注入了高可靠性与高功率密度的双重优势，无论是汽车电机驱动、电源管理还是工业控制，都能让您的设计更加游刃有余。

• 型号:DMTH3004LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Ta），145A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:+20V，-16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2370 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.2W（Ta），136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMTH3004LPS-13，Diodes产品一站式供应商。