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还在寻找那颗能同时驾驭高电流与高效率的“全能型”功率开关吗？DMTH32M5LPS-13正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有30V的耐压和高达170A的连续电流处理能力，而其核心魅力在于极低的2.2毫欧导通电阻，能大幅减少功率损耗，直接提升系统整体能效，让您的设备运行更凉爽、更持久。

它专为 demanding 应用而优化。优异的栅极特性让开关速度更快、损耗更低，非常适合高频开关电源、电机驱动和各类负载开关。采用先进的PowerDI5060-8表面贴装封装，在提供强大功率处理能力的同时，帮助您节省宝贵的电路板空间，轻松实现高功率密度设计。

• 型号:DMTH32M5LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 170A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):170A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.2 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:68 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3944 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.2W（Ta），100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMTH32M5LPS-13，Diodes产品一站式供应商。