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还在寻找那颗能扛起大电流、低损耗重任的“核心开关”吗？DMTH32M5LPSQ-13正是为您的高性能应用量身打造。它拥有高达170A的连续电流处理能力和低至2.2毫欧的超低导通电阻，能显著降低系统导通损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

这颗采用先进PowerDI5060-8封装的N沟道MOSFET，具备优异的开关特性（Qg仅68nC）和宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C）。它不仅能轻松应对高频开关的挑战，提升整体能效，其符合AEC-Q101的车规级品质，更赋予了它卓越的可靠性与耐久性，让您在汽车电子、工业控制等要求严苛的应用中信心十足。

• 型号:DMTH32M5LPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 170A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):170A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.2 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:68 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3944 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.2W（Ta），100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMTH32M5LPSQ-13，Diodes产品一站式供应商。