还在为功率转换系统的效率和散热问题烦恼吗?DMTH4001SPS-13正是您期待的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有惊人的100A连续电流处理能力和低至1毫欧的导通电阻,能显著降低导通损耗,让您的系统运行更凉爽、能效比更高,直接提升终端产品的续航和可靠性。
它采用先进的PowerDI5060-8封装,在节省宝贵电路板空间的同时,提供了优异的散热特性。无论是用于DC-DC转换器、电机驱动还是负载开关,它都能让您轻松应对高电流挑战,实现高效、紧凑的电源设计。选择它,就是为您的产品注入强劲而高效的动力核心。
- 型号:DMTH4001SPS-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:PowerDI5060-8(K 类)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1 毫欧 @ 30A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):187 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):14023 pF @ 20 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):3.09W(Ta),187.5W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerDI5060-8(K 类)
- 封装/外壳:8-PowerTDFN
- DMTH4001SPS-13,Diodes产品一站式供应商。