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还在为高功率应用的效率与散热难题寻找答案吗？DMTH4004LK3Q-13就是您期待的那把钥匙。这颗N沟道MOSFET拥有高达100A的电流处理能力和仅3毫欧的超低导通电阻，能显著降低您系统中的传导损耗，让电能转换更高效，发热更少，从而简化散热设计，提升整体可靠性。

它专为严苛环境打造，符合汽车级AEC-Q101标准，工作温度范围宽达-55°C至175°C，确保在汽车动力系统、工业电源或服务器等关键应用中稳定运行。其优化的开关特性（低栅极电荷Qg）让您能够实现更快的开关频率，提升电源密度和动态响应。选择它，就是为您的产品选择了一个强劲、可靠且高效的动力核心。

• 型号:DMTH4004LK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:83 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4450 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.9W（Ta），180W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMTH4004LK3Q-13，Diodes产品一站式供应商。