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还在寻找那颗能扛起大电流、低损耗重任的“核心开关”吗？DMTH4004LPS-13正是您期待的答案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有40V的漏源电压和高达100A的连续电流能力，其最闪耀的亮点在于仅2.5毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它专为应对严苛环境而生，通过AEC-Q101车规认证，工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保在汽车电子、工业控制等关键应用中稳定可靠。采用先进的PowerDI5060-8表面贴装封装，兼具优异的散热性能和紧凑的占板面积，让您轻松实现高功率密度设计。无论是提升能效、简化散热，还是增强系统可靠性，DMTH4004LPS-13都是您优化下一代电力电子设计的理想选择。

• 型号:DMTH4004LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:82.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4508 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.6W（Ta），138W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMTH4004LPS-13，Diodes产品一站式供应商。