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还在寻找那颗能让您的电源设计既高效又紧凑的“心脏”吗？DMTH4004SPSQ-13正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET专为高性能开关应用而生，其核心使命就是让您的电能转换过程损失更少、速度更快。

凭借仅2.7毫欧的超低导通电阻，它能大幅降低导通损耗，让您轻松处理高达31A（环境温度）的连续电流，显著提升系统效率并简化散热设计。同时，优化的栅极电荷和电容特性确保了快速的开关响应，帮助您的高频电源设计突破效率瓶颈。采用坚固的PowerDI5060-8表面贴装封装，它能在-55°C至175°C的广阔温度范围内稳定工作，是您打造高可靠性、高功率密度产品的得力伙伴。

• 型号:DMTH4004SPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 31A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):31A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.7 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:68.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4305 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.6W（Ta），167W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMTH4004SPSQ-13，Diodes产品一站式供应商。