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您正在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性和紧凑尺寸的功率开关解决方案吗？DMTH4005SPSQ-13正是您的理想之选。这颗由Diodes Incorporated推出的N沟道MOSFET，拥有40V的漏源电压和高达20.9A（Ta）的连续电流能力，其核心魅力在于超低的3.7毫欧导通电阻，能显著降低功率损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它采用先进的PowerDI5060-8封装，在节省宝贵电路板空间的同时，提供了卓越的散热性能。无论是面对汽车电子中严苛的环境要求（符合AEC-Q101标准），还是工业应用中对稳定性的极致追求，它都能轻松应对。低栅极电荷设计确保了快速的开关特性，让您能够优化高频电路性能，全面提升产品能效与可靠性。

• 型号:DMTH4005SPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 20.9A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20.9A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.7 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:49.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3062 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.6W（Ta），150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMTH4005SPSQ-13，Diodes产品一站式供应商。