您正在寻找一颗能同时兼顾高效能与高可靠性的功率开关吗?DMTH4007LPS-13正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有40V耐压和15.5A的强劲电流处理能力,其核心优势在于极低的6.5毫欧导通电阻,能显著降低导通损耗,让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。
它采用先进的PowerDI5060-8封装,散热能力出众,节省板级空间。优化的开关特性(低Qg和Ciss)让它在高频开关电路中表现敏捷,轻松应对DC-DC转换、电机控制等挑战。宽广的工作温度范围(-55°C ~ 175°C)确保了它在各种环境下稳定如一,极大地提升了您最终产品的可靠性。
- 型号:DMTH4007LPS-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:PowerDI5060-8
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 40V 15.5A PWRDI5060
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.5A(Ta),100A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):6.5 毫欧 @ 20A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):29.1 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1895 pF @ 30 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):2.7W(Ta),150W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerDI5060-8
- 封装/外壳:8-PowerTDFN
- DMTH4007LPS-13,Diodes产品一站式供应商。