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还在为电源设计中的空间与效率矛盾而烦恼吗？DMTH4007SPD-13双N沟道MOSFET阵列正是您的理想答案。它能在仅2.6W的功耗下，轻松驾驭40V电压和14.2A的连续电流，其超低的8.6毫欧导通电阻，直接为您大幅降低导通损耗，提升整体能效。

这颗芯片专为高效开关而优化，41.9nC的低栅极电荷让开关速度更快、损耗更小，非常适合高频DC-DC转换器、电机驱动和负载开关应用。其坚固的PowerDI506封装和-55°C至175°C的宽工作温度范围，确保您的产品在各种严苛环境中都能稳定可靠地运行，让您设计起来更省心，产品竞争力更强。

• 型号:DMTH4007SPD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 40V 14.2A PWRDI50
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14.2A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.6 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.9nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2026pF @ 30V
• 功率 - 最大值:2.6W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• DMTH4007SPD-13，Diodes产品一站式供应商。