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还在为寻找一颗既能承受高电流冲击，又能保持极低损耗的MOSFET而烦恼吗？DMTH4007SPS-13正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有40V耐压和高达100A（Tc）的电流处理能力，其核心魅力在于惊人的7.6毫欧超低导通电阻，能大幅减少导通状态下的功率损耗，直接为您提升系统整体效率，让设备运行更凉爽、更节能。

它专为要求严苛的开关应用而生。优化的栅极电荷（仅41.9nC）和快速的开关特性，让您轻松实现更高频率的电源设计，从而缩小被动元件体积，降低系统成本。无论是用于DC-DC转换器、电机驱动还是负载开关，它都能确保稳定、高效的功率传输。其坚固的PowerDI5060-8封装提供了卓越的散热性能，结合宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），确保您的产品在各种恶劣环境下都能可靠运行。选择DMTH4007SPS-13，就是为您的设计注入一颗高效、可靠的“动力心脏”。

• 型号:DMTH4007SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 15.7A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.7A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2082 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMTH4007SPS-13，Diodes产品一站式供应商。