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还在寻找一颗能兼顾高效率、高可靠性与紧凑尺寸的功率开关吗？DMTH4008LFDFW-13正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有40V耐压和11.6A的持续电流能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅11.5毫欧），能显著减少导通损耗，让您的电源系统运行更凉爽、能效更高。

它专为应对挑战而设计。符合AEC-Q101标准的汽车级品质，确保它能在-55°C至175°C的极端温度下稳定工作，是汽车电机驱动、LED照明及电源管理的理想选择。同时，超低的栅极电荷和紧凑的DFN封装，让您能轻松实现更高频率的开关电源设计和更小的产品体积，全面提升您的项目竞争力。

• 型号:DMTH4008LFDFW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（SWP）（F 型）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11.5 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1030 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:990mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（SWP）（F 型）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• DMTH4008LFDFW-13，Diodes产品一站式供应商。